Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SIA430DJ-T4-GE3 Datasheet

SIA430DJ-T4-GE3 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 181,88 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SIA430DJ-T4-GE3
SIA430DJ-T4-GE3 Datasheet Pagina 1
SIA430DJ-T4-GE3 Datasheet Pagina 2
SIA430DJ-T4-GE3 Datasheet Pagina 3
SIA430DJ-T4-GE3 Datasheet Pagina 4
SIA430DJ-T4-GE3 Datasheet Pagina 5
SIA430DJ-T4-GE3 Datasheet Pagina 6
SIA430DJ-T4-GE3 Datasheet Pagina 7
SIA430DJ-T4-GE3 Datasheet Pagina 8
SIA430DJ-T4-GE3 Datasheet Pagina 9
SIA430DJ-T4-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SC-70-6 Single

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SC-70-6