Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SI8824EDB-T2-E1 Datasheet

SI8824EDB-T2-E1 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 155,35 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SI8824EDB-T2-E1
SI8824EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 1
SI8824EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 2
SI8824EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 3
SI8824EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 4
SI8824EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 5
SI8824EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 6
SI8824EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 7
SI8824EDB-T2-E1 Datasheet Pagina 8
SI8824EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

4-Microfoot

Pacchetto / Custodia

4-XFBGA