SI4967DY-T1-GE3 Datasheet
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
