SCT30N120 Datasheet
SCT30N120 Datasheet
Totale pagine: 13
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STMicroelectronics
Sito web: https://www.st.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SCT30N120
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Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 20V Vgs (massimo) +25V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 400V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 270W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore HiP247™ Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
