SCT2280KEC Datasheet
SCT2280KEC Datasheet
Totale pagine: 14
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Rohm Semiconductor
Sito web: https://www.rohm.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SCT2280KEC
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs 364mOhm @ 4A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 18V Vgs (massimo) +22V, -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 667pF @ 800V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 108W (Tc) Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
