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S29VS064RABBHI010 Datasheet

S29VS064RABBHI010 Datasheet
Totale pagine: 2
Dimensioni: 54,64 KB
Cypress Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: S29VS064RABBHI010
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S29VS064RABBHI010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

VS-R

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

44-FBGA (7.5x5)