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PSMN3R7-25YLC Datasheet

PSMN3R7-25YLC Datasheet
Totale pagine: 15
Dimensioni: 232,06 KB
NXP
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: PSMN3R7-25YLC,115
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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

97A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.95V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

64W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669