PSMN1R0-40SSHJ Datasheet
PSMN1R0-40SSHJ Datasheet
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Nexperia
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
PSMN1R0-40SSHJ
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 325A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 137nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10322pF @ 25V Funzione FET Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max) 375W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK88 (SOT1235) Pacchetto / Custodia SOT-1235 |
