PMGD8000LN Datasheet
PMGD8000LN Datasheet
Totale pagine: 13
Dimensioni: 332,74 KB
NXP
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
PMGD8000LN,115
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Produttore NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 125mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18.5pF @ 5V Potenza - Max 200mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP |
