PMFPB8032XP Datasheet
PMFPB8032XP Datasheet
Totale pagine: 16
Dimensioni: 773,01 KB
Nexperia
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
PMFPB8032XP,115
|
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V Funzione FET Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max) 485mW (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-HUSON-EP (2x2) Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad |
