NTTFS6H850NTAG Datasheet
NTTFS6H850NTAG Datasheet
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ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
NTTFS6H850NTAG
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 68A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1140pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta), 107W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN |
