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NTB190N65S3HF Datasheet

NTB190N65S3HF Datasheet
Totale pagine: 10
Dimensioni: 393,33 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: NTB190N65S3HF
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NTB190N65S3HF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

FRFET®, SuperFET® III

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 430µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1610pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

162W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK-3 (TO-263-3)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB