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NTB082N65S3F Datasheet

NTB082N65S3F Datasheet
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ON Semiconductor
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NTB082N65S3F

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

82mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3410pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

313W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB