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NP109N04PUJ-E2B-AY Datasheet

NP109N04PUJ-E2B-AY Datasheet
Totale pagine: 10
Dimensioni: 310,83 KB
Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: NP109N04PUJ-E2B-AY
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NP109N04PUJ-E2B-AY

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Vgs (massimo)

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

-