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NLAS5113DFT2G Datasheet

NLAS5113DFT2G Datasheet
Totale pagine: 6
Dimensioni: 80,19 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: NLAS5113DFT2G, NLAS5113MUTBG
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NLAS5113DFT2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Circuito interruttore

SPST - NO

Circuito multiplexer / demultiplexer

1:1

Numero di circuiti

1

Resistenza allo stato attivo (max)

1.3Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

-

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

1.65V ~ 4.5V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

-

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

7ns, 4.5ns

-3db Larghezza di banda

457MHz

Iniezione di carica

-

Capacità canale (CS (off), CD (off))

14pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

100nA

Crosstalk

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

NLAS5113MUTBG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Circuito interruttore

SPST - NO

Circuito multiplexer / demultiplexer

1:1

Numero di circuiti

1

Resistenza allo stato attivo (max)

1.3Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

-

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

1.65V ~ 4.5V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

-

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

7ns, 4.5ns

-3db Larghezza di banda

457MHz

Iniezione di carica

-

Capacità canale (CS (off), CD (off))

14pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

100nA

Crosstalk

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

6-UFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

6-UDFN (1.2x1)