NLAS3899BMNTXG Datasheet
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Produttore ON Semiconductor Serie - Circuito interruttore DPDT Circuito multiplexer / demultiplexer 2:2 Numero di circuiti 2 Resistenza allo stato attivo (max) 2.5Ohm Corrispondenza da canale a canale (ΔRon) 700mOhm Tensione - Alimentazione, Singola (V +) 1.65V ~ 4.3V Tensione - Alimentazione, doppia (V ±) - Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max) 40ns, 30ns -3db Larghezza di banda 280MHz Iniezione di carica 111pC Capacità canale (CS (off), CD (off)) 10pF Corrente - Perdita (IS (off)) (Max) 300nA Crosstalk - Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Pacchetto / Custodia 16-VFQFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 16-QFN (3x3) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Circuito interruttore DPDT Circuito multiplexer / demultiplexer 2:2 Numero di circuiti 2 Resistenza allo stato attivo (max) 2.5Ohm Corrispondenza da canale a canale (ΔRon) 700mOhm Tensione - Alimentazione, Singola (V +) 1.65V ~ 4.3V Tensione - Alimentazione, doppia (V ±) - Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max) 40ns, 30ns -3db Larghezza di banda 280MHz Iniezione di carica 111pC Capacità canale (CS (off), CD (off)) 10pF Corrente - Perdita (IS (off)) (Max) 300nA Crosstalk - Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Pacchetto / Custodia 16-WFQFN Pacchetto dispositivo fornitore 16-WQFN (1.8x2.6) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Circuito interruttore DPDT Circuito multiplexer / demultiplexer 2:2 Numero di circuiti 2 Resistenza allo stato attivo (max) 2.5Ohm Corrispondenza da canale a canale (ΔRon) 700mOhm Tensione - Alimentazione, Singola (V +) 1.65V ~ 4.3V Tensione - Alimentazione, doppia (V ±) - Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max) 40ns, 30ns -3db Larghezza di banda 280MHz Iniezione di carica 111pC Capacità canale (CS (off), CD (off)) 10pF Corrente - Perdita (IS (off)) (Max) 300nA Crosstalk - Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Pacchetto / Custodia 16-VFQFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 16-QFN (3x3) |
