NLAS3699BMN1R2G Datasheet
NLAS3699BMN1R2G Datasheet
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ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
NLAS3699BMN1R2G
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Produttore ON Semiconductor Serie - Circuito interruttore DPDT Circuito multiplexer / demultiplexer 2:2 Numero di circuiti 2 Resistenza allo stato attivo (max) 550mOhm Corrispondenza da canale a canale (ΔRon) 50mOhm Tensione - Alimentazione, Singola (V +) 1.65V ~ 4.5V Tensione - Alimentazione, doppia (V ±) - Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max) 50ns, 50ns -3db Larghezza di banda 20MHz Iniezione di carica 50pC Capacità canale (CS (off), CD (off)) 7pF Corrente - Perdita (IS (off)) (Max) 500nA Crosstalk -62dB @ 100kHz Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Pacchetto / Custodia 16-VFQFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 16-QFN (3x3) |
