Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

NDUL03N150CG Datasheet

NDUL03N150CG Datasheet
Totale pagine: 5
Dimensioni: 255,64 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: NDUL03N150CG
NDUL03N150CG Datasheet Pagina 1
NDUL03N150CG Datasheet Pagina 2
NDUL03N150CG Datasheet Pagina 3
NDUL03N150CG Datasheet Pagina 4
NDUL03N150CG Datasheet Pagina 5
NDUL03N150CG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P(L)

Pacchetto / Custodia

TO-3PL