NCP5359DR2G Datasheet
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Produttore ON Semiconductor Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 13.2V Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) - Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 35V Tempo di salita / discesa (tipico) 16ns, 11ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore ON Semiconductor Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 13.2V Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) - Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 35V Tempo di salita / discesa (tipico) 16ns, 11ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-DFN (3x3) |
