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MOCD211R1VM Datasheet

MOCD211R1VM Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 499,81 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: MOCD211R1VM, MOCD211R1M
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MOCD211R1VM

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Numero di canali

2

Tensione - Isolamento

2500Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

20% @ 10mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

-

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

7.5µs, 5.7µs

Tempo di salita / discesa (tipico)

3.2µs, 4.7µs

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Transistor

Tensione - Uscita (Max)

30V

Corrente - Uscita / Canale

150mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.25V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

60mA

Saturazione Vce (Max)

400mV

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 100°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MOCD211R1M

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Numero di canali

2

Tensione - Isolamento

2500Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

20% @ 10mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

-

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

7.5µs, 5.7µs

Tempo di salita / discesa (tipico)

3.2µs, 4.7µs

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Transistor

Tensione - Uscita (Max)

30V

Corrente - Uscita / Canale

150mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.25V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

60mA

Saturazione Vce (Max)

400mV

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 100°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC