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MCH6601-TL-E Datasheet

MCH6601-TL-E Datasheet
Totale pagine: 6
Dimensioni: 248,29 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: MCH6601-TL-E
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MCH6601-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.4Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.43nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7.5pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MCPH