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MBRD835LT4 Datasheet

MBRD835LT4 Datasheet
Totale pagine: 5
Dimensioni: 125,55 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 8: MBRD835LT4, SBRD8835LT4G, SBRD8835LG, SBR835LT4G, SBRD8835LT4G-VF01, SBRD8835LG-VF01, MBRD835LG, MBRD835LT4G
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MBRD835LT4 Datasheet Pagina 2
MBRD835LT4 Datasheet Pagina 3
MBRD835LT4 Datasheet Pagina 4
MBRD835LT4 Datasheet Pagina 5
MBRD835LT4

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

510mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.4mA @ 35V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

SBRD8835LT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

510mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.4mA @ 35V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

SBRD8835LG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

510mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.4mA @ 35V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

SBR835LT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

510mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.4mA @ 35V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

SBRD8835LT4G-VF01

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

510mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.4mA @ 35V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

SBRD8835LG-VF01

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

510mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.4mA @ 35V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

MBRD835LG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

510mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.4mA @ 35V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

MBRD835LT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

510mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.4mA @ 35V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C