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KBU1010 Datasheet

KBU1010 Datasheet
Totale pagine: 3
Dimensioni: 421,11 KB
GeneSiC Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 3: KBU1010, KBU1008, KBU1006
KBU1010 Datasheet Pagina 1
KBU1010 Datasheet Pagina 2
KBU1010 Datasheet Pagina 3
KBU1010

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBU

Pacchetto dispositivo fornitore

KBU

KBU1008

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBU

Pacchetto dispositivo fornitore

KBU

KBU1006

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBU

Pacchetto dispositivo fornitore

KBU