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IXTH04N300P3HV Datasheet

IXTH04N300P3HV Datasheet
Totale pagine: 5
Dimensioni: 160,24 KB
IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: IXTH04N300P3HV
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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

3000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

400mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

283pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247HV

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant