Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IXFT58N20Q TRL Datasheet

IXFT58N20Q TRL Datasheet
Totale pagine: 2
Dimensioni: 355,14 KB
IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: IXFT58N20Q TRL
IXFT58N20Q TRL Datasheet Pagina 1
IXFT58N20Q TRL Datasheet Pagina 2

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

58A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268 (IXFT)

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA