Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IRFL4310TR Datasheet

IRFL4310TR Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 313,03 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: IRFL4310TR
IRFL4310TR Datasheet Pagina 1
IRFL4310TR Datasheet Pagina 2
IRFL4310TR Datasheet Pagina 3
IRFL4310TR Datasheet Pagina 4
IRFL4310TR Datasheet Pagina 5
IRFL4310TR Datasheet Pagina 6
IRFL4310TR Datasheet Pagina 7
IRFL4310TR Datasheet Pagina 8
IRFL4310TR Datasheet Pagina 9
IRFL4310TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA