Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IRF7402TR Datasheet

IRF7402TR Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 136,19 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: IRF7402TR
IRF7402TR Datasheet Pagina 1
IRF7402TR Datasheet Pagina 2
IRF7402TR Datasheet Pagina 3
IRF7402TR Datasheet Pagina 4
IRF7402TR Datasheet Pagina 5
IRF7402TR Datasheet Pagina 6
IRF7402TR Datasheet Pagina 7
IRF7402TR Datasheet Pagina 8
IRF7402TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)