IRF6604TR1 Datasheet
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 12A, 7V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2270pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MQ Pacchetto / Custodia DirectFET™ Isometric MQ |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 12A, 7V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2270pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MQ Pacchetto / Custodia DirectFET™ Isometric MQ |
