IPD60R2K0C6BTMA1 Datasheet
IPD60R2K0C6BTMA1 Datasheet
Totale pagine: 14
Dimensioni: 938,66 KB
Infineon Technologies
Sito web: https://www.infineon.com
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IPD60R2K0C6BTMA1
|
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 760mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 22.3W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
