HGTG18N120BN Datasheet
HGTG18N120BN Datasheet
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ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
HGTG18N120BN
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 54A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 165A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 18A Potenza - Max 390W Switching Energy 800µJ (on), 1.8mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 165nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 23ns/170ns Condizione di test 960V, 18A, 3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 |
