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FQPF2N80YDTU Datasheet

FQPF2N80YDTU Datasheet
Totale pagine: 10
Dimensioni: 1.345,97 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: FQPF2N80YDTU
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FQPF2N80YDTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3Ohm @ 750mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F-3 (Y-Forming)

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads