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FDFS2P102A Datasheet

FDFS2P102A Datasheet
Totale pagine: 6
Dimensioni: 145,56 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: FDFS2P102A
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FDFS2P102A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

182pF @ 10V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

900mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)