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DMN1017UCP3-7 Datasheet

DMN1017UCP3-7 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 361,58 KB
Diodes Incorporated
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: DMN1017UCP3-7
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DMN1017UCP3-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 3.3V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 5A, 3.3V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 3.3V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1503pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.47W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

X3-DSN1010-3

Pacchetto / Custodia

3-XDFN