BTS282Z E3230 Datasheet
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Produttore Infineon Technologies Serie TEMPFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 49V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V Funzione FET Temperature Sensing Diode Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore P-TO220-7-230 Pacchetto / Custodia TO-220-7 |
Produttore Infineon Technologies Serie TEMPFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 49V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V Funzione FET Temperature Sensing Diode Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore P-TO220-7-3 Pacchetto / Custodia TO-220-7 |
Produttore Infineon Technologies Serie TEMPFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 49V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V Funzione FET Temperature Sensing Diode Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-7-180 Pacchetto / Custodia TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
