BSP225 Datasheet
BSP225 Datasheet
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Nexperia
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
BSP225,115
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 225mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 90pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-73 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
