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BSH203 Datasheet

BSH203 Datasheet
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Nexperia
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: BSH203,215
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BSH203,215

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

470mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 280mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

680mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 24V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

417mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3