Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

BSC072N025S G Datasheet

BSC072N025S G Datasheet
Totale pagine: 10
Dimensioni: 377,22 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: BSC072N025S G
BSC072N025S G Datasheet Pagina 1
BSC072N025S G Datasheet Pagina 2
BSC072N025S G Datasheet Pagina 3
BSC072N025S G Datasheet Pagina 4
BSC072N025S G Datasheet Pagina 5
BSC072N025S G Datasheet Pagina 6
BSC072N025S G Datasheet Pagina 7
BSC072N025S G Datasheet Pagina 8
BSC072N025S G Datasheet Pagina 9
BSC072N025S G Datasheet Pagina 10
BSC072N025S G

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta), 40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2230pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta), 60W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-1

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN