APTM50AM19STG Datasheet
APTM50AM19STG Datasheet
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Microsemi
Sito web: https://www.microsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
APTM50AM19STG
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 170A Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 85A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 492nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22400pF @ 25V Potenza - Max 1250W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
