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2SK2989 Datasheet

2SK2989 Datasheet
Totale pagine: 6
Dimensioni: 237,37 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 5: 2SK2989,T6F(J, 2SK2989,F(J, 2SK2989(TPE6,F,M), 2SK2989(T6CANO,F,M, 2SK2989(T6CANO,A,F
2SK2989 Datasheet Pagina 1
2SK2989 Datasheet Pagina 2
2SK2989 Datasheet Pagina 3
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2SK2989 Datasheet Pagina 6
2SK2989,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2989,T6F(J

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
2SK2989,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2989,F(J

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
2SK2989(TPE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2989(TPE6,F,M)

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
2SK2989(T6CANO,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2989(T6CANO,F,M

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
2SK2989(T6CANO,A,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2989(T6CANO,A,F

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body