2SC3328-Y Datasheet
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V Potenza - Max 900mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 Long Body Pacchetto dispositivo fornitore LSTM |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V Potenza - Max 900mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 Long Body Pacchetto dispositivo fornitore LSTM |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V Potenza - Max 900mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 Long Body Pacchetto dispositivo fornitore LSTM |
