Vishay Semiconductor Diodes Division Transistor - FET, MOSFET - Array

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Array

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division

Record 1

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Immagine	Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Quantità	Serie	Tipo FET	Funzione FET	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Potenza - Max	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto / Custodia	Pacchetto dispositivo fornitore
	19MT050XF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP	8.172		HEXFET®	4 N-Channel (H-Bridge)	Standard	500V	31A	220mOhm @ 19A, 10V	6V @ 250µA	160nC @ 10V	7210pF @ 25V	1140W	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	16-MTP Module	16-MTP

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