Vishay Semiconductor Diodes Division Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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Tipo di transistor

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

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Corrente - Taglio collettore (Max)

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Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division

Record 2

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Immagine	Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Quantità	Serie	Tipo di transistor	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)	Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic	Corrente - Taglio collettore (Max)	Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Potenza - Max	Frequenza - Transizione	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto / Custodia	Pacchetto dispositivo fornitore
	2N3904PH	Vishay Semiconductor Diodes Division	TRANS NPN 40V 0.2A TO-92	3.978		-	NPN	200mA	40V	300mV @ 5mA, 50mA	-	100 @ 10mA, 1V	625mW	300MHz	-	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92
	MPSA42PH	Vishay Semiconductor Diodes Division	TRANS NPN 300V 0.5A TO-92	3.564		-	NPN	500mA	300V	500mV @ 2mA, 20mA	100nA (ICBO)	40 @ 30mA, 10V	625mW	50MHz	-	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3

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