Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 1941/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
ZXM61P02FTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 625mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile238.566
ZXM61P02FTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 625mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.050
ZXM61P03FTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 625mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile641.922
ZXM61P03FTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 625mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.984
ZXM62N03E6TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile3.852
ZXM62N03GTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.732
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile95.136
ZXM62P03E6TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 625mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-26 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile27.774
ZXM62P03E6TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 625mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-26 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile8.514
ZXM62P03GTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile2.358
ZXM63N02E6TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile4.590
ZXM64N02XTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Disponibile4.500
ZXM64N02XTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Disponibile5.760
ZXM64N035GTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 35V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Ta), 6.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile4.698
ZXM64N03XTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Disponibile4.158
ZXM64N03XTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Disponibile3.402
ZXM64P02XTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Disponibile20.976
ZXM64P02XTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Disponibile2.790
ZXM64P035GTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 35V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), 5.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile7.650
ZXM64P035L3 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 35V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Ta), 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 20W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile5.868
ZXM64P03XTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Disponibile17.640
ZXM64P03XTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Disponibile3.996
ZXM66N02N8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.802
ZXM66N03N8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.050
ZXM66P02N8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2068pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.094
ZXM66P02N8TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2068pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.724
ZXM66P03N8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.25A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1979pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.590
ZXMN0545FFTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 450V SOT23F-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile7.398
ZXMN0545G4TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 140mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile105.792
ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 625mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile748.452

«
‹
1
...
1938
1939
1940
1941 (current)
1942
1943
1944
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message