Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
STFI15N95K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP., Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 950V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile6.648
STFI15NM65N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 983pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile8.040
STFI16N65M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP Produttore: STMicroelectronics Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.038
STFI18N65M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP Produttore: STMicroelectronics Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.236
STFI20N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 130W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile17.346
STFI20NK50Z STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 17A I2PAK FP Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile13.188
STFI20NM65N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 15A I2PAK-FP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1280pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile13.536
STFI24N60M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 18A TO281 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile9.552
STFI24NM60N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK FP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile14.748
STFI260N6F6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 41.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile8.736
STFI26N60M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile15.972
STFI26NM60N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK FP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile6.984
STFI28N60M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile14.460
STFI31N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1865pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile16.842
STFI34N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile15.714
STFI34NM60N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 29A I2PAK FP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2722pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile3.600
STFI40N60M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile8.730
STFI4N62K3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 620V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile13.098
STFI5N80K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 4A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile4.050
STFI5N95K3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 950V 4A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 950V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile14.556
STFI6N62K3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 620V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 875pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile13.812
STFI6N65K3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile16.104
STFI6N80K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK-FP Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): 30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile14.580
STFI7LN80K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile16.110
STFI7N80K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 6A I2PAK-FP Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile15.084
STFI8N80K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile13.626
STFI9N60M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile8.676
STFI9N80K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile16.038
STFILED524 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 525V 4A I2PAK Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 525V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile5.472
STFILED625 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 620V I2PAK-FP Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 620V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile3.400

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