Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SISS32DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.4A (Ta), 63A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1930pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile8.694
SISS40DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212 Produttore: Vishay Siliconix Serie: ThunderFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile29.886
SISS42DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.8A (Ta), 40.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile7.254
SISS42LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 39A PP 1212-8S Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Ta), 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2058pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile7.812
SISS46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), 45.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2140pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile3.580
SISS60DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V W/SCHOTTKY PP 12 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5nC @ 10V Vgs (massimo): +16V, -12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3960pF @ 15V Funzione FET: Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile2.016
SISS61DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V PPAK 1212-8S Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen III Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231nC @ 10V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8740pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 65.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile7.020
SISS64DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3420pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile72.342
SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen III Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25.9A (Ta), 94A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4930pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile2.484
SISS66DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V W/SCHOTTKY PP 12 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49.1A (Ta), 178.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3327pF @ 15V Funzione FET: Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile4.392
SISS67DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212- Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen III Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4380pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile21.624
SISS70DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 125V Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 125V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 31A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 62.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile7.758
SISS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: ThunderFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile8.190
SISS72DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), 25.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 75V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile2.574
SISS73DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 150V PP 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 719pF @ 75V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile7.956
SISS92DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V POWERPAK 1212 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), 12.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 125V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8S	Disponibile25.488
SISS98DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: ThunderFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 7.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile22.956
SIUD401ED-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V POWERPAK 0806 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen III Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 0806 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 0806	Disponibile53.892
SIUD402ED-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 0806 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 0806	Disponibile6.858
SIUD403ED-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen III Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 0806 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 0806	Disponibile59.862
SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 0806 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 0806	Disponibile50.028
SIUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 0806 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 0806	Disponibile27.066
SK830321KL Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 7A 8HSSO Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 519µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 658pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: HSSO8-F3-B Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile7.074
SK8403160L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 18A 8HSSO Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 3.35mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3920pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: HSSO8-F1-B Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile6.912
SK8403170L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 16A 8HSSO Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 59A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 2.56mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 24.6W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: HSSO8-F1-B Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile3.186
SK8403180L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1.45mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 19W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: HSSO8-F1-B Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile23.274
SK8403190L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 10A 8HSSO Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1.01mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1092pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 19W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: HSSO8-F1-B Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile4.050
SK8603140L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 25A 8HSO Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 103A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 5.85mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6860pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: HSO8-F4-B Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile2.358
SK8603150L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 26A 8HSO Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 89A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 4.38mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5180pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.9W (Ta), 34W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: HSO8-F4-B Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile8.676
SK8603160L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 22A 8HSO Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 3.35mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3920pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: HSO8-F4-B Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile8.838

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