Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
HUF76633P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1820pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 145W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.716
HUF76633P3-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 100V 39A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1820pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 145W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile5.238
HUF76633S3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1820pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 145W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.914
HUF76633S3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1820pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 145W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.024
HUF76633S3ST-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 39A TO-263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 183W (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.956
HUF76639P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile5.562
HUF76639S3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.894
HUF76639S3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.032
HUF76639S3ST-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.856
HUF76645P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile7.182
HUF76645S3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.942
HUFA75307D3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 15A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile5.886
HUFA75307D3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 15A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.196
HUFA75307D3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 15A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.480
HUFA75307P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 15A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.914
HUFA75307T3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223-4 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.624
HUFA75309D3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 19A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile7.614
HUFA75309D3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 19A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.406
HUFA75309P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.550
HUFA75309T3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 352pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223-4 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile8.388
HUFA75321D3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 20A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 93W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile3.942
HUFA75321D3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 20A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 93W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.680
HUFA75321D3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 20A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 93W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.528
HUFA75321P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 93W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.606
HUFA75321S3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 93W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.442
HUFA75321S3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 93W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.986
HUFA75329D3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 20A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 128W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile3.060
HUFA75329D3S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 20A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 128W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.772
HUFA75329D3ST ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 20A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 128W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.508
HUFA75329P3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 128W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.264

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