Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FDMA86551L ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 6-MLP Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1235pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad	Disponibile54.750
FDMA8878 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad	Disponibile29.010
FDMA8884 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.9W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad	Disponibile4.464
FDMA905P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 6V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3405pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad	Disponibile23.298
FDMA905P_F130 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 6V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3405pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad	Disponibile2.268
FDMA908PZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3957pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad	Disponibile85.086
FDMA910PZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2805pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MicroFET (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad	Disponibile243.564
FDMB506P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2960pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.9W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile5.832
FDMB668P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2085pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.9W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.906
FDMC007N08LC ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 66A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.874
FDMC007N08LCDC ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo FET 80V 7.0 MOHM PQFN33 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3070pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.536
FDMC008N08C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.722
FDMC010N08C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PTNG 80/20V IN 3X3CLIP Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Power33 Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile66.126
FDMC010N08LC ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo FET 80V 10.0 MOHM PQFN33 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2135pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.420
FDMC012N03 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 185A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8183pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 64W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Power33 Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile54.570
FDMC013P030Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5785pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile5.076
FDMC0310AS ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3165pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile27.756
FDMC0310AS-F127 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 20V 8QFN Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3165pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.698
FDMC15N06 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile2.880
FDMC2512SDC ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4410pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 66W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Dual Cool ™ 33 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.762
FDMC2514SDC ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 Produttore: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2705pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Dual Cool ™ 33 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.088
FDMC2523P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile223.044
FDMC2610 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 Produttore: ON Semiconductor Serie: UniFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.668
FDMC2674 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP Produttore: ON Semiconductor Serie: UniFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 220V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile2.898
FDMC2D8N025S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 124A 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 124A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4615pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 47W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Power33 Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile5.490
FDMC3020DC ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 Produttore: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1385pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Dual Cool ™ 33 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.132
FDMC3612 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 8-MLP Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Ta), 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile145.242
FDMC4435BZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2045pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.056
FDMC4435BZ-F126 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 8.5A Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2045pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile6.336
FDMC4436BZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.132

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