Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMTH32M5LPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3944pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.848
DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3944pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.920
DMTH4004LK3-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 40V 100A TO252 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-4L Pacchetto / Custodia: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Disponibile7.758
DMTH4004LK3Q-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 40V 100A TO252 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-4L Pacchetto / Custodia: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Disponibile6.930
DMTH4004LPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 40V 26A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4508pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.6W (Ta), 138W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.778
DMTH4004LPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.192
DMTH4004SCTB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4305pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.174
DMTH4004SCTBQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 100A TO263 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4305pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB (D²PAK) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.174
DMTH4004SK3-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4305pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.428
DMTH4004SK3Q-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 40V 100A TO252 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4305pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-4L Pacchetto / Custodia: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Disponibile5.742
DMTH4004SPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4305pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.236
DMTH4004SPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4305pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.718
DMTH4005SCT Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 40V 100A TO220AB Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3062pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.516
DMTH4005SK3-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 95A DPAK Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3062pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.410
DMTH4005SK3Q-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 40V 95A TO252 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3062pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 (DPAK) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.178
DMTH4005SPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.9A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3062pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.6W (Ta), 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.028
DMTH4005SPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH POWERDI5060-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.9A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3062pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.6W (Ta), 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.974
DMTH4007LK3-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.8A (Ta), 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1895pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.128
DMTH4007LK3Q-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 16.8A TO252 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.8A (Ta), 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1895pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.328
DMTH4007LPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.5A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1895pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Ta), 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.286
DMTH4007LPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 40V 15.5A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.5A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1895pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Ta), 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.300
DMTH4007SK3-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.6A (Ta), 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2082pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.096
DMTH4007SPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.7A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2082pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.592
DMTH4007SPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.7A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2082pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.740
DMTH4008LFDFW-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020- Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 990mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile7.956
DMTH4008LFDFW-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020- Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 990mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile8.262
DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020- Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 990mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile107.838
DMTH4008LFDFWQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020- Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 990mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile8.262
DMTH4008LPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1088pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.514
DMTH4008LPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1088pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.662

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