Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IS46R16160F-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile7.812
IS46R16320D-5BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile7.182
IS46R16320D-5BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile5.868
IS46R16320D-5TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile5.922
IS46R16320D-5TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile2.952
IS46R16320D-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile8.442
IS46R16320D-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile5.130
IS46R16320D-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile7.200
IS46R16320D-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile4.428
IS46R16320D-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile3.114
IS46R16320D-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile3.490
IS46R16320D-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile5.130
IS46R16320D-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile2.142
IS46R16320E-5BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile2.034
IS46R16320E-5BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile2.556
IS46R16320E-5TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile8.604
IS46R16320E-5TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile7.416
IS46R16320E-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)	Disponibile4.086
IS46R16320E-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)	Disponibile3.312
IS46R16320E-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)	Disponibile6.408
IS46R16320E-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)	Disponibile4.446
IS46R16320E-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile3.490
IS46R16320E-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile7.506
IS46R16320E-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile3.780
IS46R16320E-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile4.734
IS46R86400D-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile5.796
IS46R86400D-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile4.536
IS46R86400D-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile5.742
IS46R86400D-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile3.258
IS46TR16128A-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile2.628

IS46R16160F-6TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile7.812

IS46R16320D-5BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile7.182

IS46R16320D-5BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile5.868

IS46R16320D-5TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile5.922

IS46R16320D-5TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile2.952

IS46R16320D-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile8.442

IS46R16320D-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile5.130

IS46R16320D-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile7.200

IS46R16320D-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile4.428

IS46R16320D-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile3.114

IS46R16320D-6TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile3.490

IS46R16320D-6TLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile5.130

IS46R16320D-6TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile2.142

IS46R16320E-5BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile2.034

IS46R16320E-5BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile2.556

IS46R16320E-5TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile8.604

IS46R16320E-5TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile7.416

IS46R16320E-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)

Disponibile4.086

IS46R16320E-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)

Disponibile3.312

IS46R16320E-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)

Disponibile6.408

IS46R16320E-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)

Disponibile4.446

IS46R16320E-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile3.490

IS46R16320E-6TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile7.506

IS46R16320E-6TLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile3.780

IS46R16320E-6TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile4.734

IS46R86400D-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile5.796

IS46R86400D-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile4.536

IS46R86400D-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile5.742

IS46R86400D-6TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile3.258

IS46TR16128A-125KBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile2.628

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