Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IS45S32400F-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile5.256
IS45S32800D-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile6.822
IS45S32800D-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile2.322
IS45S32800D-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile2.934
IS45S32800D-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile3.456
IS45S32800D-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile3.562
IS45S32800D-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile5.544
IS45S32800D-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile3.043
IS45S32800D-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile4.626
IS45S32800J-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile6.858
IS45S32800J-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile5.400
IS45S32800J-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile8.280
IS45S32800J-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile2.358
IS45S32800J-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile6.876
IS45S32800J-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile4.986
IS45S32800J-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile7.290
IS45S32800J-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II	Disponibile2.358
IS45VM16800E-75BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile4.716
IS45VM16800E-75BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile5.472
IS45VM16800E-75BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile8.856
IS45VM16800E-75BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile5.616
IS45VM16800H-75BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile3.526
IS45VM16800H-75BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile2.808
IS45VM16800H-75BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile3.294
IS45VM16800H-75BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile4.302
IS46DR16128A-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-LFBGA (10.5x13.5)	Disponibile3.564
IS46DR16128A-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-LFBGA (10.5x13.5)	Disponibile3.960
IS46DR16128A-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-LFBGA (10.5x13.5)	Disponibile4.194
IS46DR16128A-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-LFBGA (10.5x13.5)	Disponibile5.076
IS46DR16128C-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile3.078

IS45S32400F-7TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile5.256

IS45S32800D-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile6.822

IS45S32800D-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile2.322

IS45S32800D-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile2.934

IS45S32800D-6TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile3.456

IS45S32800D-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile3.562

IS45S32800D-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile5.544

IS45S32800D-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile3.043

IS45S32800D-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile4.626

IS45S32800J-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile6.858

IS45S32800J-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile5.400

IS45S32800J-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile8.280

IS45S32800J-6TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile2.358

IS45S32800J-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile6.876

IS45S32800J-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile4.986

IS45S32800J-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile7.290

IS45S32800J-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II

Disponibile2.358

IS45VM16800E-75BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile4.716

IS45VM16800E-75BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile5.472

IS45VM16800E-75BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile8.856

IS45VM16800E-75BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile5.616

IS45VM16800H-75BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile3.526

IS45VM16800H-75BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile2.808

IS45VM16800H-75BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile3.294

IS45VM16800H-75BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile4.302

IS46DR16128A-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-LFBGA (10.5x13.5)

Disponibile3.564

IS46DR16128A-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-LFBGA (10.5x13.5)

Disponibile3.960

IS46DR16128A-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-LFBGA (10.5x13.5)

Disponibile4.194

IS46DR16128A-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-LFBGA (10.5x13.5)

Disponibile5.076

IS46DR16128C-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile3.078

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